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应用领域

化合物半导体

      由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的称为化合物半导体材料。人们日常所说的第二代半导体砷化镓（GaAs）和目前方兴未艾的第三代半导体碳化硅和氮化镓（SiC和GaN）就是其中典型代表。

      第三代半导体，更科学的表述应该为 - 宽禁带半导体。宽禁带半导体材料是指禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料。基于这些材料所发展出的制备和应用的相关工艺，则成为了当下半导体产业的热门之一。

       智程基于成熟的ZCAB系列槽式清洗刻蚀设备，针对宽禁带半导体领域快速增长的市场需求，依照碳化硅和氮化镓等材料的物理和化学特性，发展出了涵盖衬底制备清洗（晶棒清洗、切割片清洗、研磨后清洗、退火后清洗和抛光后清洗等）和器件制造湿法工艺（RCA清洗、去光刻胶、场/栅氧化层腐蚀、铝镍腐蚀和金属剥离等）的多种清洗/刻蚀设备，无论是针对颗粒、金属离子、有机物污染的清洗，还是对于光刻胶的去除、金属层的剥离，都可以通过对槽体的配置、叠加或减少，实现其相应的功能。下图为在一些工艺应用情形下的湿法工序配置：

工艺应用 湿法工序
Pre clean SPM-DHF-SC1-SC2
Pre gate clean SPM-DHF-SC1-SC2
PR strip(front) DHF-SPM-SPM-SC1
Oxide wet etch HF-BOE-SC1
AL&Ni wet etch MII-Ni腐蚀-SPM-SC1
Solvent clean EKC-EKC-NMP
Poly&oxide recycle HF/HNO3-HF-SC1
Carbon clean BOE-SPM-SPM-SC1

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